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高速SOI芯片光電探測器陣列

簡要描述：高速SOI芯片光電探測器陣列，該產品基于硅基鍺-硅光電探測器，實現了多通道光電探測器的單片化集成，可片上集成光學混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產品方案。

產品型號：ZG
廠商性質：生產廠家
更新時間：2024-12-27
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品牌	梓冠

SOI芯片光電探測器陣列

SOI Chip-based Photodetector Array

SOI芯片式光電探測器陣列，該產品基于硅基鍺-硅光電探測器，實現了多通道光電探測器的單片化集成，可片上集成光學混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產品方案。

Chip-based multi-channel photodetector array is a product based on Ge-Si SOI platform. This product achieved the integration of multi-channel photodetectors on a single SOI chip. The MMI-based optical hybrider/mixer could also be integrated on the chip. It is capable of tiny polarization sensitivity and large electrical bandwidth. Both the die products and chip package solutions are provided.

〖性能指標Specifications〗

參數指標 Parameters	單位 Unit	最小值 Min.	典型值 Typ.	最大值 Max.	備注 Notes
波長范圍 Wavelength range	nm	1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm
暗電流 Dark current	nA	35		50
3 dB模擬帶寬 3 dB bandwidth	GHz			28
光飽和功率 Optical saturation power	mW	10
響應度 Responsibility	A/W	0.8		0.85
90度光學混頻器損耗 90°mixer loss	dB	6	6.5	6.7
90度光學混頻器相位失衡度 90°mixer phase unbalance	°	5
通道數 Number of channels		8或可定制 8 or Can be customized
光纖接入損耗 Insertion loss	dB	≤0.5
偏振相關損耗 PDL	dB	≤0.3
工作溫度范圍 Operating temperature range	°C	-20		50
工作濕度范圍 Operating humidity range	%			+65
芯片尺寸 Chip Dimensions	mm	4(L)×5(W)×0.5(H)

高速SOI芯片光電探測器陣列

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